SJ 50033.76-1995 半导体分立器件.3DG218型硅微波低噪声晶体管详细规范
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.4 |
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页数： |
10 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/76-1995,半导体分立器件,3DG218型硅微波イ鎭声晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG218 Silicon,microwave low-noise transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DG218型硅微波低噪声晶体管详细规范SJ 50033/76-1995,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG218 Silicon,microwave low-noise transistor,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DG218型硅微波低噪声晶体管的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33（半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581—87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 .］引出端材料和表面涂层,引出端材料为可伐合金,引线表面镀金,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-0I 实施,SJ 50033/76-1995,3,2.2器件结构,采用硅平面外延双极型结构,3,2.3外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581中E4-O4A及本规范规定,见图1,mm,代号,尺 寸,最小值标称值最大值,A 一一2.67,底0.78,0.48 一L0,C 0.05 — 0/15,一一6.9,￠01 — — 5.6,1L5 一-~-,Hy 1L5,引出端极性;Eー发射极;Bー极基;Cー集电极,图1外形尺寸,3.3 最大额定值和主要也特性,3.3.I 最大额定值,注:1)当丁ハ＞25ヒ时,按。.57mW/匸线性降额,X参,数,号、^,(mW),Ta = 25 七,^CBO,(V),%E0,(V),旷的,(V),Ic,(mA),*,.,T巡,(t),3DG2I8 100 12 10 3 20 200 丒 65 ~ 200,下载,SJ 50033/76-1995,3.3.2 主要电特性（Ta = 25X：）,\参,X数,数、,值、,万FEI,Vce = 6V,［匚ユ2mA,ん国,飞=6V,/c = 0,5mA,VcEsat,(V),fc = 5mA,1mA,VbEmx,(V),Jr = 1mA,』c " 5mA,fr,(MHz),y 6V,Iq= 2mA,片 60MHz,仇,(dB),凡,(dB) c而,(pF),y 6V,尸 1MHz,た二6V,Iq = 2mA,/ =,600MHz,最小值40 20 — — 3000 10 — —,最大值200 — OJ 1 —— — 2 L5,注;当/: 1G 岳时,F°W2.5dB, G*/6dB,3,4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33及本规范的规定,型号标志可不限于一行内,制造厂可省略器件上的,下列标志:,a.产品保证等级;,b.制造厂厂名、代号或商标;,c.检验批识别代码;,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检政,鉴定检验应符合GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定进行,下面测试应按本规范表I进行,超过本规范表1极限值的器件应予剔除,ffi 选,(见GJB 33的表2),测试或试验,7中间电参数和 ^FEl,8功率老化见431,9最后测试按本规范表1的A2分组,△loo为初始值的100%,或20仙,取较大者,△历TI为初始值的士20%,4.3.1 功率老化条件,功率老化条件如下:,Ta = 25 ±3匕,P? = 100mW, = 10Vo,4.4 质量一致性检验,3,$J 50033/76-1995,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检岫,A组检験应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33及本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33及本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表中规定的方法和下列规定进行:,4.5.I 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128中3,3.2,1条的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,機限值,单位,方法条 件最小最大,A1分组,外观及机械检验GJB 128,2071,5,A2分组,集电极一基极,击穿电压,发射极一基极,击穿电压,集电极一基极,截止电流,发射极一基极,截止电流,正向电流传输比,正向电流传输比,集电极一发射极,饱和电压,基极ー发射极,正向电压,292」,292.2,2.1,2.2,2.8……
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